Описание

▪ Измерение параметров транзисторов, диодов, полевых транзисторов и т.д.
▪ Пробивное напряжение: 1000 В (разрешение 1 В), 200 В (разрешение 0.1 В)
▪ Насыщение: 10 мА … 2 А
▪ Коэффициент усиления по постоянному току: 10 мкА … 10 мА
▪ Обратный ток утечки: 2000 мкА
▪ Питание: 1.5 В х 4 батареи типа АА